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本教程全面覆盖半导体器件建模与仿真的核心知识,从基础物理概念到高级仿真技术,逐步深入。内容包括半导体物理基础、MOSFET建模、FinFET与Nanosheet器件仿真、SPICE模型应用、工艺仿真等。通过详细的视频教程和实例分析,帮助学习者掌握从理论到实践的完整流程,适合电子工程、半导体物理及相关领域的学生和专业人士。
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半导体器件建模仿真与分析:从基础到高级实践38.69 GB(mp4视频38节;)
0012--4-12_离子注入仿真(上).mp4702.84MB
0011--4-11-sprocess结构生成(刻蚀、淀积)与MGOALS.mp41022.55MB
0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真(二)与光电二极管仿真.mp41001.74MB
0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4677.87MB
0008--4-8-工艺仿真基础(三)(下).mp4392.86MB
0007--4-7-工艺仿真基础(三)(上).mp4755.46MB
0006--4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp41.45GB
0005--4-5-工艺仿真基础(一).mp41.59GB
0004--4-4-版图绘制(下)-派生图层与宏命令编写.mp41.04GB
0003--4-3-版图绘制(中)-Cell处理与实用小工具.mp41.16GB
0002--4-2_版图绘制基础(上).mp4514.34MB
0001--工艺仿真提前梳理(临时).mp4697.34MB
0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4529.66MB
0001--3-9-缺陷(二)与辐照特性仿真(总剂量效应).mp4735.99MB
0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp41.28GB
0001--3-7-混合模式(二)-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp41.32GB
0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp41.26GB
0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp41.08GB
0001--3-4_物理模型(二)与温度仿真.mp41.2GB
0001--3-3-器件仿真中的物理模型(一).mp41.21GB
0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理(一).mp41.5GB
0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp41.69GB
0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp41.17GB
0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4549.19MB
0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp41008.45MB
0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4715.38MB
0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp41.28GB
0001--3-11-交流小信号分析(二).mp4960.78MB
0001--3-10-交流小信号分析.mp4993.87MB
0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4955.55MB
0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp41.42GB
0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp41.37GB
0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp41.5GB
0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp41.23GB
0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4662.64MB
0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4649.95MB
0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4706.55MB
0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp41.01GB